לקוח חדש לטאואר; תספק שבבים לטלפונים סלולריים בדור הרביעי

חברת השבבים הישראלית, טאואר (סימול בנאסד"ק: TSEM) הודיעה היום כי חברת VT Silicon האמריקנית בחרה בה לייצר את שבבי ה-RF פרי פיתוחה, עבור יישומים למכשירים ניידים בדור הרביעי, שוק הצפוי לצמוח מ-3 מיליארד דולר בשנת 2009 ל-40 מיליארד ב-2012.

החברה האמריקנית בחרה בתהליך ה-SiGe בטכנולוגיית ה-0.18 מיקרון של טאואר-ג'אז בניהולו של ראסל אלוואנגר, המאפשר עלויות נמוכות משמעותית ואינטגרציה גבוהה הרבה יותר מטכנולוגית ה-GaAs הקיימת היום. טכנולוגיית ה-SiGe של טאואר-ג'אז מספקת תכונות משופרות וכן רמות גבוהות יותר של אינטגרציה של פונקציות RF בטלפונים סלולאריים מדור שלישי ורביעי.

השבב החדש של VT Silicon מציע את יכולות ה-RF הטובות ביותר הקיימות בעולם כיום, התורמות למקסום חיי הסוללה בדור הבא של ההתקנים הסלולאריים. פריצת דרך זו הושגה לאחר תהליך פיתוח של שנתיים שבוצע על-ידי VT Silicon המאפשר להשיג הספק, יעילות ולינאריות הדרושים עבור התקנים ניידים בדור ה-4G מופעלי סוללות.

ויקרם קרישנאמורת'י, סמנכ"ל טכנולוגיות, VT Silicon מסר עם פרסום ההודעה על ההסכם עם טאואר כי: "על-ידי שימוש בטכנולוגיה הייחודית והמתקדמת של טאואר-ג'אז, הצלחנו להשיג רמות גבוהות יותר של אינטגרציה ופונקציונאליות משופרת בשבבי ה-4G ובו בזמן להפחית עלויות. שימוש בטכנולוגית ה-GaAs המסורתית אינו מאפשר אינטגרציה של רכיבים דיגיטאליים ואנלוגיים מורכבים לשבבי RF המורכבים כמקשה אחת."

"אנו ממשיכים לראות מעבר של מוצרים מבוססי GaAs לטכנולוגיית ה-SiGe. שינוי זה מאפשר הזדמנויות צמיחה מרגשות לטכנולוגיה שלנו כפי שניתן לראות בתכנון פורץ הדרך של VT Silicon עבור התקנים סלולאריים בדור הרביעי," כך אמר ד"ר מרקו רקנלי, סמנכ"ל בכיר ומנהל קו מוצרי ה-RF בטאואר.